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全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。 相似文献
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83.
By means of X-ray diffraction and adiabatic scanning calorimeter,the specific heatsof five compounds in the Sm_2O_3-BaO--CuO system,such as Sm_2BaO_4,Sm_2CuO_4,BaCuO_4,Sm_2BaCuO_5,SmBa_2Cu_3O_(7-x),from -150℃ to 800℃ have been measured.It is found that the specific heats ofthese compounds increase smoothly with the increase of temperature. 相似文献
84.
85.
本文分析了通用寄存器型计算机和通用堆栈型计算机处理转子指令的不同方法,研究了类Cray-1转子机制的实现原理,提出了在类Cray-1通用寄存器型模型机上采用堆栈来处理转子指令的实现方法。 相似文献
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通过热压放热反应合成工艺制备的NiAl-200vol%TiC原位复合材料,它的平均室温断裂韧性比单相NiAl提高了50%,断口形貌及裂纹扩展路径观查表明,裂纹偏转机制是复合材料的主要韧化机制。 相似文献
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研究过程中分析比较了人工神经网络和灰色模型的优缺点,尝试将人工神经网络模型与改进灰色模型进行有机结合,从而提出了改进灰色神经网络模型。新的耦合方式发挥了灰色预测方法中累加生成的优点,便于神经网络进行训练,又避免了灰色预测方法带来的误差,提高了预测精度,是一种新的有益探索;为实际工程应用提供了重要的参考。 相似文献
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